流水號
89519
課號
EE5115
課程識別碼
921 U7150
無分班
- 3 學分
選修
電機工程學研究所 / 光電工程學研究所 / 電子工程學研究所 / 奈米科技學程 / 元件材料與異質整合博士學位學程 / 元件材料與異質整合碩士學位學程
電機工程學研究所
光電工程學研究所
電子工程學研究所
奈米科技學程
元件材料與異質整合博士學位學程
元件材料與異質整合碩士學位學程
選修- 林浩雄
- 搜尋教師開設的課程
電機資訊學院 電機工程學系
hhlin@ntu.edu.tw
- 電機二館 四樓 419室
02-33663670
- 四 2, 3, 4
電二145
1 類加選
修課總人數 70 人
本校 70 人
無領域專長
- 中文授課
- NTU COOL
- 備註
本校選課狀況
載入中- 課程概述本課程介紹以GaAs及InP為主的三五族化合物半導體材料系統的磊晶及製程技術。 一、 光電半導體材料的種類及基本特性 二、 塊材成長技術 三、 真空技術 四、 磊晶技術：分子束磊晶法 五、 磊晶技術：有機金屬化學沈積法 六、磊晶技術：液相磊晶法
- 課程目標瞭解並熟悉三五族化合物半導體的基本晶格結構、能帶性質、光學特性、電學特性、磊晶、製程與量測技術
- 課程要求無預修課程
- 預期每週課後學習時數
- Office Hour
- 指定閱讀
- 參考書目教科書： 上課講義 參考書目： T. Swaminathan, and A. T. Macrander, Materials aspects of GaAs and InP based structures, Prentice Hall, 1991. A. Katz, Indium Phosphide and related materials: Processing, Technology, and Devices, Artech House, 1992. R. E. Willams, GaAs processing technique, 2nd Ed., Artech House, 1990.
- 評量方式
- 針對學生困難提供學生調整方式
調整方式 說明 上課形式 以錄影輔助
作業繳交方式 學生與授課老師協議改以其他形式呈現
其他 由師生雙方議定
- 課程進度